FDMS7606

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

Power-56-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

12 A, 22 A

Rds On - 漏源电阻：

11.4 mOhms, 11.6 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2.1 V, 1.9 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

16 nC, 19 nC

Pd - 功耗：

2.2 W, 2.5 W

配置：

双重的

打包：

卷轴

高度：

1.1 mm

长度：

6 mm

晶体管类型：

2 N-Channel

宽度：

5 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

正向跨导 - 最小值：

53 S, 47 S

秋季时间：

3 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

3 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

单位重量：

0.007443 oz

Tags

FDMS760, FDMS76, FDMS7, FDMS, FDM