FQD4P25TM-WS

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-252-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

250 V

Id - 连续漏极电流：

3.1 A

Rds On - 漏源电阻：

2.1 Ohms

Vgs - 栅源电压：

30 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

45 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

场效应管

打包：

卷轴

高度：

2.39 mm

长度：

6.73 mm

系列：

FQD4P25TM_WS

晶体管类型：

1 P-Channel

宽度：

6.22 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

秋季时间：

27 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

60 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

14 ns

典型的开启延迟时间：

9.5 ns

第 # 部分别名：

FQD4P25TM_WS

单位重量：

0.009184 oz

Tags

FQD4P25TM, FQD4P25T, FQD4P2, FQD4P, FQD4, FQD