STS9P2UH7

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOIC-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

9 A

Rds On - 漏源电阻：

22.5 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

400 mV

Vgs - 栅源电压：

8 V

Qg - 门电荷：

22 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2.7 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

STS9P2UH7

晶体管类型：

1 P-Channel

品牌：

意法半导体

秋季时间：

84.5 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

30.5 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

128 ns

典型的开启延迟时间：

12.5 ns

单位重量：

0.017870 oz

Tags

STS9, STS