SQ4532AEY-T1_GE3

产品属性

属性值

制造商：

威世

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SO-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

7.3 A, 5.3 A

Rds On - 漏源电阻：

21 mOhms, 56 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.5 V, 2.5 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

5.9 nC, 7.9 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

3.3 W, 3.3 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

资质：

AEC-Q101

商品名：

沟槽场效应晶体管

打包：

卷轴

系列：

质量

晶体管类型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

品牌：

威世 / Siliconix

正向跨导 - 最小值：

22 S, 5.5 S

秋季时间：

19 ns, 16 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

17 ns, 17 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

10 ns, 19 ns

典型的开启延迟时间：

7 ns, 6 ns

单位重量：

0.002610 oz

Tags

SQ4532A, SQ45, SQ4