IPD068P03L3GATMA1

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

PG-TO-252-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

70 A

Rds On - 漏源电阻：

6.8 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

91 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

100 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

2.3 mm

长度：

6.5 mm

晶体管类型：

1 P-Channel

宽度：

6.22 mm

品牌：

英飞凌科技

正向跨导 - 最小值：

50 S

秋季时间：

31 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

100 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

84 ns

典型的开启延迟时间：

11 ns

第 # 部分别名：

G IPD068P03L3 SP001127838

单位重量：

0.139332 oz

Tags

IPD068P03L3, IPD068P, IPD068, IPD06, IPD0, IPD