2SB1132T100P

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

双极晶体管 - BJT

RoHS：

Y

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

MPT-3

晶体管极性：

PNP

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

- 32 V

集电极-基极电压 VCBO：

- 40 V

发射极基极电压 VEBO：

- 5 V

集电极-发射极饱和电压：

- 0.2 V

最大直流集电极电流：

- 1 A

增益带宽积 fT：

150 MHz

最高工作温度：

+ 150 C

系列：

2SB1132

直流电流增益 hFE 最大值：

390

高度：

1.5 mm

长度：

4.5 mm

打包：

卷轴

宽度：

2.5 mm

品牌：

罗姆半导体

连续集电极电流：

- 1 A

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

120

Pd - 功耗：

2 W

产品类别：

BJT - 双极晶体管

出厂包装数量：

1000

子类别：

晶体管

Tags

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