STW26NM60ND

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-247-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

600 V

Id - 连续漏极电流：

21 A

Rds On - 漏源电阻：

145 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

4 V

Vgs - 栅源电压：

25 V

Qg - 门电荷：

54.6 nC

Pd - 功耗：

190 W

配置：

单身的

打包：

管子

系列：

STW26NM60ND

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

意法半导体

秋季时间：

27.5 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

14.5 ns

出厂包装数量：

30

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

69 ns

典型的开启延迟时间：

22 ns

单位重量：

1.340411 oz

Tags

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