NE3509M04-A

产品属性

属性值

制造商：

电灯

产品分类：

射频 JFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管类型：

高频场效应管

技术：

砷化镓

获得：

17.5 dB

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

4 V

Vgs - 栅源击穿电压：

- 3 V

Id - 连续漏极电流：

60 mA

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

150 mW

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

FTSMM-4 (M04)

工作频率：

2 GHz

产品：

射频结型场效应管

类型：

GaAs HFET

品牌：

电灯

正向跨导 - 最小值：

80 mS

栅源截止电压：

- 0.5 V

NF - 噪声系数：

0.4 dB

P1dB - 压缩点：

11 dBm

产品类别：

射频 JFET 晶体管

出厂包装数量：

1

子类别：

晶体管

Tags

NE3509, NE350, NE35, NE3