HUF76633P3

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-220-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

100 V

Id - 连续漏极电流：

38 A

Rds On - 漏源电阻：

29 mOhms

Vgs - 栅源电压：

16 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

145 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

管子

高度：

16.3 mm

长度：

10.67 mm

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

MOSFET

宽度：

4.7 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

秋季时间：

58 ns, 83 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

110 ns, 55 ns

出厂包装数量：

400

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

43 ns, 63 ns

典型的开启延迟时间：

12 ns, 7.5 ns

第 # 部分别名：

HUF76633P3_NL

单位重量：

0.079014 oz

Tags

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