R6007KNX

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-220FP-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

600 V

Id - 连续漏极电流：

7 A

Rds On - 漏源电阻：

570 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

3 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

46 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

大部分

系列：

Super Junction-MOS KN

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

罗姆半导体

正向跨导 - 最小值：

1.9 S

秋季时间：

25 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

22 ns

出厂包装数量：

500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

35 ns

典型的开启延迟时间：

18 ns

第 # 部分别名：

R6007KNX

单位重量：

0.068784 oz

Tags

R6007KN, R6007K, R6007, R600, R60