2N3636

产品属性

属性值

制造商：

微芯片

产品分类：

双极晶体管 - BJT

RoHS：

N

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-39-3

晶体管极性：

PNP

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

175 V

集电极-基极电压 VCBO：

175 V

发射极基极电压 VEBO：

5 V

集电极-发射极饱和电压：

300 mV

最大直流集电极电流：

1 A

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 200 C

直流电流增益 hFE 最大值：

150 at 50 mA, 10 VDC

打包：

铝箔袋

品牌：

微芯片/Microsemi

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

50 at 50 mA, 10 VDC

Pd - 功耗：

1 W

产品类别：

BJT - 双极晶体管

出厂包装数量：

1

子类别：

晶体管

Tags

2N3636, 2N363, 2N36, 2N3