ES6U1T2R

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-563T-6

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P沟道，SBD

Vds - 漏源击穿电压：

12 V

Id - 连续漏极电流：

1.3 A

Rds On - 漏源电阻：

190 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

2.4 nC

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

800 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

ES6U1

晶体管类型：

1 P-Channel

品牌：

罗姆半导体

正向跨导 - 最小值：

1.4 S

秋季时间：

9 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

10 ns

出厂包装数量：

8000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

30 ns

典型的开启延迟时间：

8 ns

第 # 部分别名：

ES6U1

单位重量：

0.000106 oz

Tags

ES6U1, ES6U, ES6