BUR51

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

双极晶体管 - BJT

RoHS：

Y

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-3

晶体管极性：

NPN

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

200 V

集电极-基极电压 VCBO：

300 V

发射极基极电压 VEBO：

10 V

最大直流集电极电流：

60 A

增益带宽积 fT：

16 MHz

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 150 C

系列：

BUR51

直流电流增益 hFE 最大值：

100

高度：

8.7 mm (Max)

长度：

39.5 mm (Max)

打包：

管子

宽度：

26.2 mm (Max)

品牌：

意法半导体

连续集电极电流：

60 A

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

20

Pd - 功耗：

350 W

产品类别：

BJT - 双极晶体管

出厂包装数量：

20

子类别：

晶体管

单位重量：

0.225789 oz

Tags

BUR5, BUR