GS61008P-E05-MR

产品属性

属性值

制造商：

氮化镓系统

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

氮化镓

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

GaNPX-4

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

100 V

Id - 连续漏极电流：

90 A

Rds On - 漏源电阻：

7 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.3 V

Vgs - 栅源电压：

7 V

Qg - 门电荷：

12 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.51 mm

长度：

7.5 mm

产品：

MOSFET

系列：

GS6100x

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

4.6 mm

品牌：

氮化镓系统

湿气敏感：

是的

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

250

子类别：

MOSFET

第 # 部分别名：

GS61008P-E05-MR

Tags

GS61008P-E05, GS61008P-E0, GS61008, GS6100, GS610, GS61, GS6