NPT1012B

产品属性

属性值

制造商：

马科姆

产品分类：

射频 JFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管类型：

HEMT

技术：

氮化镓硅

获得：

13 dB

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

100 V

Vgs - 栅源击穿电压：

3 V

Id - 连续漏极电流：

4 mA

最高工作温度：

+ 200 C

Pd - 功耗：

44 W

安装方式：

螺丝安装

打包：

托盘

配置：

单身的

工作频率：

4 GHz

品牌：

马科姆

P1dB - 压缩点：

43 dBm

产品类别：

射频 JFET 晶体管

Rds On - 漏源电阻：

440 mOhms

出厂包装数量：

30

子类别：

晶体管

Vgs th - 栅源阈值电压：

- 1.8 V

单位重量：

0.007760 oz

Tags

NPT101, NPT10, NPT1, NPT