2N5550RLRP

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

双极晶体管 - BJT

RoHS：

N

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-92-3

晶体管极性：

NPN

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

140 V

集电极-基极电压 VCBO：

160 V

发射极基极电压 VEBO：

6 V

集电极-发射极饱和电压：

0.25 V

最大直流集电极电流：

0.6 A

增益带宽积 fT：

300 MHz

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

高度：

5.33 mm

长度：

5.2 mm

打包：

弹药包

宽度：

4.19 mm

品牌：

安森美半导体

连续集电极电流：

0.6 A

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

60

Pd - 功耗：

625 mW

产品类别：

BJT - 双极晶体管

出厂包装数量：

2000

子类别：

晶体管

Tags

2N5550RL, 2N5550R, 2N5550, 2N555, 2N55, 2N5