STF10P6F6

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-220FP-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

10 A

Rds On - 漏源电阻：

160 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

6.4 nC

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

20 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

STripFET

打包：

管子

系列：

STF10P6F6

晶体管类型：

1 P-Channel Power MOSFET

品牌：

意法半导体

秋季时间：

3.7 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

5.3 ns

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

14 ns

典型的开启延迟时间：

64 ns

单位重量：

0.011640 oz

Tags

STF10, STF1, STF