EFC6612R-TF

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

CSP-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Rds On - 漏源电阻：

4.2 mOhms, 4.2 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

500 mV

Vgs - 栅源电压：

12 V

Qg - 门电荷：

27 nC, 27 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2.5 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

EFC6612R

晶体管类型：

2 N-channel

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

4.7 S, 4.7 S

秋季时间：

92 us, 92 us

产品类别：

MOSFET

上升时间：

640 ns, 640 ns

出厂包装数量：

5000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

11.8 us, 11.8 us

典型的开启延迟时间：

30 ns, 30 ns

Tags

EFC6612, EFC661, EFC6, EFC