STL12N65M5

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

PowerFLAT-5x6-HV-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

650 V

Id - 连续漏极电流：

8.5 A

Rds On - 漏源电阻：

530 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

5 V

Qg - 门电荷：

17 nC

Pd - 功耗：

48 W

配置：

单身的

打包：

卷轴

系列：

STL12N65M5

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

意法半导体

秋季时间：

13.5 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

10 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

Tags

STL12N6, STL12N, STL12, STL1, STL