VNP49N04-E

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-220-3

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

42 V

Id - 连续漏极电流：

49 A

Rds On - 漏源电阻：

20 mOhms

Pd - 功耗：

125 W

打包：

管子

系列：

VNP49N04-E

类型：

功率MOSFET

品牌：

意法半导体

正向跨导 - 最小值：

30 S

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

50

子类别：

MOSFET

单位重量：

0.011640 oz

Tags

VNP4, VNP