RD3L140SPFRATL

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-252-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

14 A

Rds On - 漏源电阻：

84 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

- 3 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

27 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

20 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

晶体管类型：

1 P-Channel

品牌：

罗姆半导体

正向跨导 - 最小值：

10 S

秋季时间：

110 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

45 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

240 ns

典型的开启延迟时间：

20 ns

Tags

RD3L14, RD3L1, RD3L, RD3