BBS3002-DL-E

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-263-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

100 A

Rds On - 漏源电阻：

4.4 mOhms

Qg - 门电荷：

280 nC

Pd - 功耗：

90 W

配置：

单身的

打包：

卷轴

晶体管类型：

1 P-Channel

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

54 S

秋季时间：

820 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

1000 ns

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

800 ns

典型的开启延迟时间：

95 ns

单位重量：

0.139332 oz

Tags

BBS3002-D, BBS3002, BBS30, BBS3, BBS