RDN100N20

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-220-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

200 V

Id - 连续漏极电流：

10 A

Rds On - 漏源电阻：

360 mOhms

Vgs - 栅源电压：

30 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

35 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

大部分

高度：

8 mm

长度：

10 mm

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

4.5 mm

品牌：

罗姆半导体

秋季时间：

26 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

29 ns

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

38 ns

典型的开启延迟时间：

13 ns

第 # 部分别名：

RDN100N20FU6

单位重量：

0.211644 oz

Tags

RDN100N, RDN10, RDN1, RDN