CMPDM203NH TR

产品属性

属性值

制造商：

中央半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-23F

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

3.2 A

Rds On - 漏源电阻：

33 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.2 V

Vgs - 栅源电压：

600 mV

Qg - 门电荷：

6.8 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

350 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

CMPDM2

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

中央半导体

正向跨导 - 最小值：

10.5 S

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

22.8 ns

典型的开启延迟时间：

6 ns

第 # 部分别名：

CMPDM203NH PBFREE TR

单位重量：

0.000282 oz

Tags

CMPDM, CMPD, CMP