SIHG22N65E-GE3

产品属性

属性值

制造商：

威世

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-247AC-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

650 V

Id - 连续漏极电流：

22 A

Rds On - 漏源电阻：

180 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

4 V

Vgs - 栅源电压：

30 V

Qg - 门电荷：

73 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

227 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

大部分

高度：

20.82 mm

长度：

15.87 mm

系列：

E

宽度：

5.31 mm

品牌：

威世 / Siliconix

秋季时间：

38 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

33 ns

出厂包装数量：

500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

73 ns

典型的开启延迟时间：

22 ns

单位重量：

1.340411 oz

Tags

SIHG22N6, SIHG22, SIHG2, SIHG, SIH