ALD1108EPCL

产品属性

属性值

制造商：

先进线性器件

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

PDIP-16

通道数：

4 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

10 V

Id - 连续漏极电流：

3 mA

Rds On - 漏源电阻：

500 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

990 mV

Vgs - 栅源电压：

12 V

最低工作温度：

0 C

最高工作温度：

+ 70 C

Pd - 功耗：

600 mW

配置：

四边形

频道模式：

增强

打包：

管子

产品：

MOSFET 小信号

系列：

ALD1108EP

晶体管类型：

4 N-Channel

类型：

MOSFET

品牌：

先进线性器件

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

25

子类别：

MOSFET

单位重量：

0.036156 oz

Tags

ALD1108E, ALD1108, ALD110, ALD11, ALD1, ALD