NJVMJD42CT4G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

双极晶体管 - BJT

RoHS：

Y

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

DPAK-3

晶体管极性：

PNP

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

100 V

集电极-基极电压 VCBO：

100 V

发射极基极电压 VEBO：

5 V

最大直流集电极电流：

6 A

增益带宽积 fT：

3 MHz

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 150 C

系列：

MJD42C

直流电流增益 hFE 最大值：

30 at 300 mA, 4 V

高度：

2.38 mm

长度：

6.73 mm

打包：

卷轴

宽度：

6.22 mm

品牌：

安森美半导体

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

30

Pd - 功耗：

1750 mW

产品类别：

BJT - 双极晶体管

资质：

AEC-Q101

出厂包装数量：

2500

子类别：

晶体管

第 # 部分别名：

NJVMJD42CT4G-VF01

单位重量：

0.012346 oz

Tags

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