RQ1C065UNTR

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TSMT-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

6.5 A

Rds On - 漏源电阻：

58 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

300 mV

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

11 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.5 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.85 mm

长度：

3 mm

产品：

MOSFET

晶体管类型：

1 N-channel

类型：

功率MOSFET

宽度：

2.4 mm

品牌：

罗姆半导体

正向跨导 - 最小值：

6 S

秋季时间：

25 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

30 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

70 ns

典型的开启延迟时间：

7 ns

第 # 部分别名：

RQ1C065UN

Tags

RQ1C06, RQ1C0, RQ1C, RQ1