IFN112

产品属性

属性值

制造商：

场效应管

产品分类：

场效应管

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-18-3

晶体管极性：

N通道

配置：

单身的

Vgs - 栅源击穿电压：

- 50 V

Vgs=0 时的漏源电流：

9 mA

Pd - 功耗：

360 mW

打包：

大部分

类型：

场效应管

品牌：

场效应管

正向跨导 - 最小值：

7 mS

栅源截止电压：

- 1.2 V

出厂包装数量：

1

Tags

IFN1, IFN