SCT2120AFC

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

碳化硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-220AB-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

650 V

Id - 连续漏极电流：

29 A

Rds On - 漏源电阻：

120 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.6 V

Vgs - 栅源电压：

- 6 V, 22 V

Qg - 门电荷：

61 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

165 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

管子

系列：

SCT2x

晶体管类型：

1 N-Channel Power MOSFET

品牌：

罗姆半导体

正向跨导 - 最小值：

2.7 S

秋季时间：

19 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

31 ns

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

60 ns

典型的开启延迟时间：

22 ns

第 # 部分别名：

SCT2120AF

单位重量：

0.211644 oz

Tags

SCT21, SCT2, SCT