CG2H80060D-GP4

产品属性

属性值

制造商：

克里公司

产品分类：

射频 JFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管类型：

HEMT

技术：

氮化镓

获得：

15 dB

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

120 V

Vgs - 栅源击穿电压：

- 10 V, 2 V

Id - 连续漏极电流：

3 A

输出功率：

25 W

最大漏栅电压：

-

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

-

安装方式：

螺丝安装

包装/案例：

440166

打包：

托盘

工作频率：

DC to 6 GHz

品牌：

Wolfspeed / 克里

正向跨导 - 最小值：

-

产品类别：

射频 JFET 晶体管

出厂包装数量：

250

子类别：

晶体管

Vgs th - 栅源阈值电压：

- 3.8 V

Tags

CG2H800, CG2H8, CG2H, CG2