STW56N60M2

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-247-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

600 V

Id - 连续漏极电流：

52 A

Rds On - 漏源电阻：

55 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

91 nC

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

350 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

网状网

打包：

管子

系列：

STW56N60M2

晶体管类型：

1 N-Channel Power MOSFET

品牌：

意法半导体

秋季时间：

14 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

26.5 ns

出厂包装数量：

600

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

119 ns

典型的开启延迟时间：

18 ns

单位重量：

1.340411 oz

Tags

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