PD20010S-E

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

射频 MOSFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管极性：

N通道

技术：

硅

Id - 连续漏极电流：

5 A

Vds - 漏源击穿电压：

40 V

获得：

11 dB

输出功率：

10 W

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 150 C

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

PowerSO-10RF-Straight-4

打包：

管子

配置：

单身的

高度：

3.5 mm

长度：

7.5 mm

工作频率：

2 GHz

系列：

PD20010-E

类型：

射频功率MOSFET

宽度：

9.4 mm

品牌：

意法半导体

频道模式：

增强

湿气敏感：

是的

Pd - 功耗：

59 W

产品类别：

射频 MOSFET 晶体管

出厂包装数量：

400

子类别：

MOSFET

Vgs - 栅源电压：

15 V

单位重量：

0.105822 oz

Tags

PD20010, PD2001, PD200, PD20, PD2