HP8S36TB

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

HSOP-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

27 A, 80 A

Rds On - 漏源电阻：

6.7 mOhms, 2 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.3 V

Vgs - 栅源电压：

20 V, 12 V

Qg - 门电荷：

4.8 nC, 47 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

3 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

晶体管类型：

2 N-Channel

品牌：

罗姆半导体

正向跨导 - 最小值：

10 S, 30 S

秋季时间：

3.4 ns, 66 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

4.5 ns, 27 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

25.5 ns, 186 ns

典型的开启延迟时间：

9.6 ns, 34 ns

第 # 部分别名：

HP8S36

Tags

HP8S36, HP8S3, HP8S, HP8