STB33N65M2

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

D2PAK-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

650 V

Id - 连续漏极电流：

24 A

Rds On - 漏源电阻：

140 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

41.5 nC

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

190 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

网状网

打包：

卷轴

系列：

STB33N65M2

晶体管类型：

1 N-Channel Power MOSFET

品牌：

意法半导体

秋季时间：

9 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

11.5 ns

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

72.5 ns

典型的开启延迟时间：

13.5 ns

单位重量：

0.139332 oz

Tags

STB33, STB3, STB