STB12NM60N-1

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-262-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

600 V

Id - 连续漏极电流：

10 A

Rds On - 漏源电阻：

410 mOhms

Vgs - 栅源电压：

25 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

90 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

高度：

8.95 mm

长度：

10 mm

系列：

STB12NM60

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

4.4 mm

品牌：

意法半导体

秋季时间：

10 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

9 ns

出厂包装数量：

50

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

60 ns

典型的开启延迟时间：

15 ns

单位重量：

0.050717 oz

Tags

STB12NM, STB12N, STB12, STB1, STB