STB12NM50ND

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-263-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

500 V

Id - 连续漏极电流：

11 A

Rds On - 漏源电阻：

380 mOhms

Pd - 功耗：

100 W

配置：

单身的

打包：

卷轴

系列：

STB12NM50ND

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

意法半导体

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

单位重量：

0.139332 oz

Tags

STB12NM50N, STB12NM5, STB12NM, STB12N, STB12, STB1, STB