NTLJS3113PT1G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

WDFN-6

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

5.8 A

Rds On - 漏源电阻：

90 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

670 mV

Vgs - 栅源电压：

8 V

Qg - 门电荷：

13 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.9 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.75 mm

长度：

2 mm

产品：

MOSFET 小信号

系列：

NTLJS3113P

晶体管类型：

1 P-Channel

宽度：

2 mm

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

5.9 S

秋季时间：

56.5 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

17.5 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

60 ns

典型的开启延迟时间：

6.9 ns

单位重量：

0.000317 oz

Tags

NTLJS3113P, NTLJS311, NTLJS31, NTLJS3, NTLJS, NTLJ, NTL