NTJD5121NT2G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-363-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

295 mA

Rds On - 漏源电阻：

1.6 Ohms

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

900 pC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

250 mW

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

NTJD5121N

晶体管类型：

2 N-Channel

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

80 S

秋季时间：

32 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

34 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

34 ns

典型的开启延迟时间：

22 ns

单位重量：

0.000265 oz

Tags

NTJD5121NT, NTJD5121N, NTJD5, NTJD, NTJ