VND7N04-1-E

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-251-3

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

42 V

Id - 连续漏极电流：

7 A

Rds On - 漏源电阻：

140 mOhms

Pd - 功耗：

60 W

打包：

管子

系列：

VND7N04-1-E

类型：

功率MOSFET

品牌：

意法半导体

正向跨导 - 最小值：

5 S

湿气敏感：

是的

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

75

子类别：

MOSFET

单位重量：

0.139332 oz

Tags

VND7N04, VND7N0, VND7N, VND7, VND