VND7NV04-1

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

N

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-251-3

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

40 V

Id - 连续漏极电流：

17 A

Rds On - 漏源电阻：

60 mOhms

Pd - 功耗：

60 W

打包：

管子

系列：

VND7NV04-1

品牌：

意法半导体

湿气敏感：

是的

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

75

子类别：

MOSFET

单位重量：

0.139332 oz

Tags

VND7NV04-1, VND7NV0, VND7NV, VND7N, VND7, VND