IXBN75N170A

产品属性

属性值

制造商：

IXYS

产品分类：

IGBT晶体管

RoHS：

Y

技术：

硅

包装/案例：

SOT-227B-4

安装方式：

贴片/贴片

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

1.7 kV

集电极-发射极饱和电压：

4.95 V

最大栅极发射极电压：

20 V

25 C 时的连续集电极电流：

75 A

Pd - 功耗：

625 W

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

系列：

IXBN75N170

打包：

管子

连续集电极电流 Ic 最大值：

350 A

高度：

9.6 mm

长度：

38.23 mm

工作温度范围：

- 55 C to + 150 C

宽度：

25.42 mm

品牌：

IXYS

连续集电极电流：

75 A

栅极-发射极漏电流：

100 nA

产品类别：

IGBT晶体管

出厂包装数量：

10

子类别：

IGBT

商品名：

MOSFET

单位重量：

1.058219 oz

Tags

IXBN7, IXBN, IXB