MRF101BN

产品属性

属性值

制造商：

恩智浦

产品分类：

射频 MOSFET 晶体管

晶体管极性：

N通道

技术：

硅

Id - 连续漏极电流：

8.8 A

Vds - 漏源击穿电压：

133 V

获得：

21.1 dB

输出功率：

100 W

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 150 C

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-220-3

打包：

管子

工作频率：

1.8 MHz to 250 MHz

系列：

MRF101

类型：

射频功率MOSFET

品牌：

恩智浦半导体

正向跨导 - 最小值：

7.1 S

通道数：

1 Channel

Pd - 功耗：

182 W

产品类别：

射频 MOSFET 晶体管

出厂包装数量：

250

子类别：

MOSFET

Vgs - 栅源电压：

- 6 V, + 10 V

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.7 V

第 # 部分别名：

935377234129

Tags

MRF101, MRF10, MRF1, MRF