RF4E110BNTR

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

DFN2020-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

11 A

Rds On - 漏源电阻：

11.1 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

24 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2 W

配置：

单身的

打包：

卷轴

系列：

RF4E110BN

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

罗姆半导体

正向跨导 - 最小值：

6 S

秋季时间：

11 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

12 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

43 ns

典型的开启延迟时间：

14 ns

第 # 部分别名：

RF4E110BN

Tags

RF4E11, RF4E1, RF4E, RF4