CGHV59350F

产品属性

属性值

制造商：

科沃

产品分类：

射频 JFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管类型：

HEMT

技术：

氮化镓碳化硅

获得：

18 dB

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

36 V

Vgs - 栅源击穿电压：

145 V

Id - 连续漏极电流：

24 A

输出功率：

260 W

最大漏栅电压：

48 V

最高工作温度：

+ 250 C

Pd - 功耗：

288 W

安装方式：

贴片/贴片

打包：

托盘

配置：

单身的

工作频率：

2 GHz

产品：

射频功率晶体管

系列：

T1G

类型：

氮化镓碳化硅 HEMT

品牌：

科沃

湿气敏感：

是的

产品类别：

射频 JFET 晶体管

出厂包装数量：

25

子类别：

晶体管

第 # 部分别名：

1110346

Tags

CGHV59, CGHV5, CGHV, CGH