STP200N6F3

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-220-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

120 A

Rds On - 漏源电阻：

3.3 mOhms

Vgs - 栅源电压：

20 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

330 W

配置：

单身的

打包：

管子

系列：

STI200N6F3

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

功率MOSFET

品牌：

意法半导体

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

50

子类别：

MOSFET

单位重量：

0.011640 oz

Tags

STP200N, STP200, STP20, STP2, STP