STD18N60M6

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

MOSFET

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

DPAK-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

600 V

Id - 连续漏极电流：

13 A

Rds On - 漏源电阻：

280 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

3.25 V

Vgs - 栅源电压：

25 V

Qg - 门电荷：

16.8 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

110 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

意法半导体

秋季时间：

9 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

7 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

28 ns

典型的开启延迟时间：

16 ns

Tags

STD18N6, STD18N, STD18, STD1, STD