FDI33N25TU

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

E

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-262-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

250 V

Id - 连续漏极电流：

33 A

Rds On - 漏源电阻：

77 mOhms

Vgs - 栅源电压：

30 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

235 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

管子

高度：

7.88 mm

长度：

10.29 mm

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

4.83 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

正向跨导 - 最小值：

26.6 S

秋季时间：

120 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

230 ns

出厂包装数量：

50

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

75 ns

典型的开启延迟时间：

35 ns

单位重量：

0.084199 oz

Tags

FDI3, FDI