IRG7S313UTRLPBF

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-252-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

330 V

Id - 连续漏极电流：

44 A

Vgs th - 栅源阈值电压：

4.7 V

Qg - 门电荷：

33 nC

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

78 W

配置：

单身的

打包：

卷轴

高度：

2.3 mm

长度：

6.5 mm

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

6.22 mm

品牌：

英飞凌/红外

正向跨导 - 最小值：

47 S

秋季时间：

68 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

13 ns

出厂包装数量：

800

子类别：

MOSFET

第 # 部分别名：

SP001537462

单位重量：

0.139332 oz

Tags

IRG7S3, IRG7S, IRG7, IRG