QS6J1TR

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-457T-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

1.5 A

Rds On - 漏源电阻：

310 mOhms

Vgs - 栅源电压：

12 V

Pd - 功耗：

1.25 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.85 mm

长度：

2.9 mm

产品：

MOSFET 小信号

系列：

QS6J1

晶体管类型：

2 P-Channel

类型：

MOSFET

宽度：

1.6 mm

品牌：

罗姆半导体

秋季时间：

12 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

12 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

45 ns

典型的开启延迟时间：

10 ns

第 # 部分别名：

QS6J1

Tags

QS6J1, QS6J, QS6